Požiadajte o cenovú ponuku
Slovenská
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Žiadosť o cenovú ponuku
Domov > Produkty > Diskrétne polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFET - Pole > NTHD5903T1G

NTHD5903T1G

NTHD5903T1G
1. Pri objednávaní prosím potvrďte podrobnosti, ktoré obsahujú číslo dielu a výrobcu výrobkov.
2. Ak máte zoznam kusovníkov (BOM), je potrebné uviesť ponuku. Môžete poslať na náš e-mail.
3.Môžete nám poslať e-mailom, aby ste pred odoslaním zmenili podrobnosti objednávky.
4.Obchody nie je možné po dodaní balíkov zrušiť.

Request Quote

Číslo dielu
množstvo
spoločnosť
E-mail
Komentáre

Nákupný proces

Vgs (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA
Balík dodávateľov zariadení:ChipFET™
séria:-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Výkon - Max:1.1W
obal:Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:8-SMD, Flat Lead
Prevádzková teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET:Logic Level Gate
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):20V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:2.2A


Ak ste sa dostali nesprávne kompenty, ktoré vám nie sú objednané. Budeme skúmať, kto sa bude venovať zodpovednosti problému.
Ak je to naše, dodáme správne kompenty pre výmenný tovar po tom, čo sme dostali nesprávne kompenty, odoslať späť.
Ak je to vaše, zákazník sa o ňom darí zodpovednosť. Ak si to podrobne získate, kontaktujte s našim zákazníckym servisom alebo predajom.

Súvisiace produkty

Hádajte, že by ste mohli hľadať