DMJ70H1D3SH3

Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
DMJ70H1D3SH3.pdf

Môžeme dodávať Diodes Incorporated DMJ70H1D3SH3, použite formulár žiadosti o cenovú ponuku na vyžiadanie DMJ70H1D3SH3 pirce, Diodes Incorporated Datasheet PDF a lead time.Zeanoit.com je profesionálny distribútor elektronických súčiastok. Pri 3 a viac miliónoch riadkových položkách dostupných elektronických súčiastok je možné v krátkom čase dodať viac ako 250 000 kusov elektronických súčiastok na sklade na okamžité doručenie, ktoré môžu zahŕňať číslo dielu DMJ70H1D3SH3. Cena a čas dodania pre DMJ70H1D3SH3 v závislosti od množstva požadovaná dostupnosť a umiestnenie skladu.

Request Quote

In Stock~~40 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

cena
1	$1.13
75	$0.955
150	$0.784
525	$0.648
1050	$0.512

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	4V @ 250µA
Vgs (Max):	±30V
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	TO-251
séria:	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	41W (Tc)
obal:	Tube
Balík / puzdro:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Through Hole
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	351pF @ 50V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	13.9nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
Funkcia FET:	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté):	10V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	700V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	4.6A (Tc)