ZXMN6A11DN8TA

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
ZXMN6A11DN8TA.pdf

1. Pri objednávaní prosím potvrďte podrobnosti, ktoré obsahujú číslo dielu a výrobcu výrobkov.
2. Ak máte zoznam kusovníkov (BOM), je potrebné uviesť ponuku. Môžete poslať na náš e-mail.
3.Môžete nám poslať e-mailom, aby ste pred odoslaním zmenili podrobnosti objednávky.
4.Obchody nie je možné po dodaní balíkov zrušiť.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

cena
500	$0.495
1000	$0.396
2500	$0.359
5000	$0.334
12500	$0.322

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	1V @ 250µA (Min)
Balík dodávateľov zariadení:	8-SOP
séria:	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	120 mOhm @ 2.5A, 10V
Výkon - Max:	1.8W
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	330pF @ 40V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	5.7nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET:	Logic Level Gate
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	60V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	2.5A