| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 2mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +20V, -5V |
| technológie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Balík dodávateľov zariadení: | SOT-227B |
| séria: | - |
| Rds Zap (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 40A, 20V |
| Zníženie výkonu (Max): | - |
| Balík / puzdro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Prevádzková teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Výrobca štandardná doba výroby: | 32 Weeks |
| Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 1000V |
| Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Funkcia FET: | - |
| Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté): | 20V |
| Vypustite na zdrojové napätie (Vdss): | 1200V |
| Detailný popis: | N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C: | 47A (Tc) |
IXFN50N120SK
IXFN48N60P
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
IXFN48N50U2
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFN50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
IXFN48N50U3
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFN48N50Q
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXFN50N50
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
IXFN48N55
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
