APTC60HM70T1G

Microsemi
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
APTC60HM70T1G.pdf

časť # APTC60HM70T1G je k dispozícii, pozri opis APTC60HM70T1G ako je uvedené nižšie.
použite formulár žiadosti o ponuku a požiadajte o cenu APTC60HM70T1G a dodaciu lehotu.
Nakúpte elektronické komponenty na zeanoit.com. Sme nezávislým distribútorom elektronických komponentov s rozsiahlymi zásobami na sklade.
Cena a dodacia lehota pre APTC60HM70T1G závisia od požadovaného množstva, dostupnosti a umiestnenia skladu. Kontaktujte nás ešte dnes a náš predajný tím vám čoskoro pošle cenovú ponuku.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.9V @ 2.7mA
Balík dodávateľov zariadení:	SP1
séria:	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	70 mOhm @ 39A, 10V
Výkon - Max:	250W
obal:	Bulk
Balík / puzdro:	SP1
Prevádzková teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Chassis Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	7000pF @ 25V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	259nC @ 10V
Typ FET:	4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET:	Standard
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	600V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	39A