SI4848DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
SI4848DY-T1-GE3.pdf

Dodávame SI4848DY-T1-GE3, použite formulár žiadosti o cenovú ponuku na vyžiadanie SI4848DY-T1-GE3 pirce a lead time.Zeano je profesionálny distribútor elektronických súčiastok. Pri 3 a viac miliónoch riadkových položkách dostupných elektronických súčiastok je možné v krátkom čase dodať viac ako 250 000 kusov elektronických súčiastok na sklade na okamžité doručenie, ktoré môžu obsahovať číslo dielu SI4848DY-T1-GE3. Cena a doba dodania pre SI4848DY-T1-GE3 v závislosti od množstva požadované a skladu umiestnenie.kontaktujte nás a náš obchodný zástupca vám poskytne cenu. Tešíme sa na spoluprácu s Vami.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

cena
2500	$0.563
5000	$0.535

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):	±20V
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	8-SO
séria:	TrenchFET®
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	85 mOhm @ 3.5A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	1.5W (Ta)
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	21nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
Funkcia FET:	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté):	6V, 10V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	150V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	2.7A (Ta)