SI4946BEY-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
SI4946BEY-T1-E3.pdf

časť č. SI4946BEY-T1-E3 Je to bežne používaná súčasť? : Áno
Dodané z: skladu HK alebo Singapuru
Rovnaký model môže mať viac šarží, obrázky slúžia iba na informáciu.
Modely ECAD: Kontaktujte nás a získajte informácie
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

cena
2500	$0.466
5000	$0.443

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Balík dodávateľov zariadení:	8-SO
séria:	TrenchFET®
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Výkon - Max:	3.7W
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	840pF @ 30V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	25nC @ 10V
Typ FET:	2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET:	Logic Level Gate
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	60V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	6.5A

Ak ste sa dostali nesprávne kompenty, ktoré vám nie sú objednané. Budeme skúmať, kto sa bude venovať zodpovednosti problému.

Ak je to naše, dodáme správne kompenty pre výmenný tovar po tom, čo sme dostali nesprávne kompenty, odoslať späť.

Ak je to vaše, zákazník sa o ňom darí zodpovednosť. Ak si to podrobne získate, kontaktujte s našim zákazníckym servisom alebo predajom.

SI4946BEY-T1-E3

Request Quote

Nákupný proces

Súvisiace produkty

Hádajte, že by ste mohli hľadať