SIE860DF-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
SIE860DF-T1-GE3.pdf

Môžeme dodávať Vishay / Siliconix SIE860DF-T1-GE3, použite formulár žiadosti o cenovú ponuku na vyžiadanie SIE860DF-T1-GE3 pirce, Vishay / Siliconix Datasheet PDF a lead time.Zeanoit.com je profesionálny distribútor elektronických súčiastok. Pri 3 a viac miliónoch riadkových položkách dostupných elektronických súčiastok je možné v krátkom čase dodať viac ako 250 000 kusov elektronických súčiastok na sklade na okamžité doručenie, ktoré môžu zahŕňať číslo dielu SIE860DF-T1-GE3. Cena a čas dodania pre SIE860DF-T1-GE3 v závislosti od množstva požadovaná dostupnosť a umiestnenie skladu.

Request Quote

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	10-PolarPAK® (M)
séria:	TrenchFET®
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	2.1 mOhm @ 21.7A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	5.2W (Ta), 104W (Tc)
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	10-PolarPAK® (M)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	4500pF @ 15V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	105nC @ 10V
Typ FET:	N-Channel
Funkcia FET:	-
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	30V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	60A (Tc)

Ak ste sa dostali nesprávne kompenty, ktoré vám nie sú objednané. Budeme skúmať, kto sa bude venovať zodpovednosti problému.

Ak je to naše, dodáme správne kompenty pre výmenný tovar po tom, čo sme dostali nesprávne kompenty, odoslať späť.

Ak je to vaše, zákazník sa o ňom darí zodpovednosť. Ak si to podrobne získate, kontaktujte s našim zákazníckym servisom alebo predajom.

SIE860DF-T1-GE3

Request Quote

Nákupný proces

Súvisiace produkty

Hádajte, že by ste mohli hľadať