účet Odhlásiť sa

Požiadajte o cenovú ponuku

Žiadosť o cenovú ponuku

SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
SQD35N05-26L-GE3.pdf

Obrázky sú len orientačné.
Podrobné informácie o produkte nájdete v časti Špecifikácie produktu.
Ak máte záujem o nákup SQD35N05-26L-GE3, pošlite nám e-mail.
Sales@zeanoit.com
náš obchodný tím vám odpovie do 24 hodín

Request Quote

Nákupný proces

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	TO-252, (D-Pak)
séria:	TrenchFET®
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	20 mOhm @ 20A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	50W (Tc)
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	1175pF @ 25V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	18nC @ 5V
Typ FET:	N-Channel
Funkcia FET:	-
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	55V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	30A (Tc)

Ak ste sa dostali nesprávne kompenty, ktoré vám nie sú objednané. Budeme skúmať, kto sa bude venovať zodpovednosti problému.

Ak je to naše, dodáme správne kompenty pre výmenný tovar po tom, čo sme dostali nesprávne kompenty, odoslať späť.

Ak je to vaše, zákazník sa o ňom darí zodpovednosť. Ak si to podrobne získate, kontaktujte s našim zákazníckym servisom alebo predajom.