BSC060P03NS3E G

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
BSC060P03NS3E G.pdf

časť # BSC060P03NS3E G je k dispozícii, pozri opis BSC060P03NS3E G ako je uvedené nižšie.
použite formulár žiadosti o ponuku a požiadajte o cenu BSC060P03NS3E G a dodaciu lehotu.
Nakúpte elektronické komponenty na zeanoit.com. Sme nezávislým distribútorom elektronických komponentov s rozsiahlymi zásobami na sklade.
Cena a dodacia lehota pre BSC060P03NS3E G závisia od požadovaného množstva, dostupnosti a umiestnenia skladu. Kontaktujte nás ešte dnes a náš predajný tím vám čoskoro pošle cenovú ponuku.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	3.1V @ 150µA
Vgs (Max):	±25V
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	PG-TDSON-8
séria:	OptiMOS™
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	6 mOhm @ 50A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	2.5W (Ta), 83W (Tc)
obal:	Tape & Reel (TR)
Balík / puzdro:	8-PowerTDFN
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	6020pF @ 15V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	81nC @ 10V
Typ FET:	P-Channel
Funkcia FET:	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté):	6V, 10V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	30V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	17.7A (Ta), 100A (Tc)