IRFU3711

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Obsahuje olovo / RoHS nie je v súlade
Diskrétne polovodičové produkty
IRFU3711.pdf

1. Pri objednávaní prosím potvrďte podrobnosti, ktoré obsahujú číslo dielu a výrobcu výrobkov.
2. Ak máte zoznam kusovníkov (BOM), je potrebné uviesť ponuku. Môžete poslať na náš e-mail.
3.Môžete nám poslať e-mailom, aby ste pred odoslaním zmenili podrobnosti objednávky.
4.Obchody nie je možné po dodaní balíkov zrušiť.

Request Quote

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	IPAK (TO-251)
séria:	HEXFET®
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	6.5 mOhm @ 15A, 10V
Zníženie výkonu (Max):	2.5W (Ta), 120W (Tc)
obal:	Tube
Balík / puzdro:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Through Hole
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	2980pF @ 10V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	44nC @ 4.5V
Typ FET:	N-Channel
Funkcia FET:	-
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	20V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	100A (Tc)