TP2635N3-G

Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
TP2635N3-G.pdf

časť # TP2635N3-G je k dispozícii, pozri opis TP2635N3-G ako je uvedené nižšie.
použite formulár žiadosti o ponuku a požiadajte o cenu TP2635N3-G a dodaciu lehotu.
Nakúpte elektronické komponenty na zeanoit.com. Sme nezávislým distribútorom elektronických komponentov s rozsiahlymi zásobami na sklade.
Cena a dodacia lehota pre TP2635N3-G závisia od požadovaného množstva, dostupnosti a umiestnenia skladu. Kontaktujte nás ešte dnes a náš predajný tím vám čoskoro pošle cenovú ponuku.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock~~922 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

cena
1	$1.52
25	$1.267
100	$1.154

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	2V @ 1mA
Vgs (Max):	±20V
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení:	TO-92-3
séria:	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	15 Ohm @ 300mA, 10V
Zníženie výkonu (Max):	1W (Ta)
obal:	Bulk
Balík / puzdro:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Through Hole
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	300pF @ 25V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Typ FET:	P-Channel
Funkcia FET:	-
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté):	2.5V, 10V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	350V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	180mA (Tj)