APTM60H23FT1G

Microsemi
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Bezolovnatý / V súlade RoHS
Diskrétne polovodičové produkty
1.APTM60H23FT1G.pdf 2.APTM60H23FT1G.pdf

Dodávame APTM60H23FT1G, použite formulár žiadosti o cenovú ponuku na vyžiadanie APTM60H23FT1G pirce a lead time.Zeano je profesionálny distribútor elektronických súčiastok. Pri 3 a viac miliónoch riadkových položkách dostupných elektronických súčiastok je možné v krátkom čase dodať viac ako 250 000 kusov elektronických súčiastok na sklade na okamžité doručenie, ktoré môžu obsahovať číslo dielu APTM60H23FT1G. Cena a doba dodania pre APTM60H23FT1G v závislosti od množstva požadované a skladu umiestnenie.kontaktujte nás a náš obchodný zástupca vám poskytne cenu. Tešíme sa na spoluprácu s Vami.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: minimum:1; násobky:1; Manufacturer lead time 10 weeks

technické údaje
recenzia
platba
Doprava
obal

Vgs (th) (Max) @ Id:	5V @ 1mA
Balík dodávateľov zariadení:	SP1
séria:	-
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs:	276 mOhm @ 17A, 10V
Výkon - Max:	208W
obal:	Bulk
Balík / puzdro:	SP1
Prevádzková teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:	Chassis Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	5316pF @ 25V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs:	165nC @ 10V
Typ FET:	4 N-Channel (H-Bridge)
Funkcia FET:	Standard
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss):	600V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C:	20A